NVTFS5116PLTWG MOSFET yagona P-kanal 60V,14A,52mohm
♠ Mahsulot tavsifi
| Mahsulot atributi | Atribut qiymati |
| Ishlab chiqaruvchi: | onsemi |
| Mahsulot toifasi: | MOSFET |
| Texnologiya: | Si |
| O'rnatish uslubi: | SMD/SMT |
| Paket / quti: | WDFN-8 |
| Transistor polaritesi: | P-kanal |
| Kanallar soni: | 1 Kanal |
| Vds - Drenaj manbasining buzilishi kuchlanishi: | 60 V |
| Id - Uzluksiz drenaj oqimi: | 14 A |
| Rds On - Drenaj manbasiga qarshilik: | 52 mOm |
| Vgs - Gate-Source kuchlanishi: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source pol kuchlanishi: | 3 V |
| Qg - eshik zaryadi: | 25 nC |
| Minimal ish harorati: | - 55 C |
| Maksimal ish harorati: | + 175 S |
| Pd - quvvat sarfi: | 21 Vt |
| Kanal rejimi: | Yaxshilash |
| Malaka: | AEC-Q101 |
| Qadoqlash: | G'altak |
| Qadoqlash: | Kesilgan lenta |
| Qadoqlash: | MouseReel |
| Brend: | onsemi |
| Konfiguratsiya: | Yagona |
| Oldinga o'tkazuvchanlik - min: | 11 S |
| Mahsulot turi: | MOSFET |
| Seriya: | NVTFS5116PL |
| Zavod paketi miqdori: | 5000 |
| Pastki toifa: | MOSFETlar |
| Transistorlar turi: | 1 ta P-kanal |
| Birlik og'irligi: | 0,001043 oz |
• Yilni dizayn uchun kichik maydon (3,3 x 3,3 mm).
• O'tkazuvchanlik yo'qotishlarini minimallashtirish uchun past RDS(yoqish).
• Haydovchi yo'qotishlarini kamaytirish uchun past sig'im
• NVTFS5116PLWF - ho'llash mumkin bo'lgan qanotlar mahsuloti
• AEC−Q101 malakali va PPAP qobiliyatiga ega
• Bu qurilmalar Pb-Free va RoHS bilan mos keladi
