IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

Qisqa Tasvir:

Ishlab chiqaruvchilar: IXYS
Mahsulot toifasi: Tranzistorlar - FETs, MOSFETs - Yagona
Tafsilotli ro'yxat:IXFA22N65X2
Tavsif: MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
RoHS holati: RoHSga mos keladi

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

♠ Mahsulot tavsifi

Mahsulot atributi	Atribut qiymati
Ishlab chiqaruvchi:	IXYS
Mahsulot toifasi:	MOSFET
Texnologiya:	Si
O'rnatish uslubi:	SMD/SMT
Paket / quti:	TO-263-3
Transistor polaritesi:	N-kanal
Kanallar soni:	1 Kanal
Vds - Drenaj manbasining buzilishi kuchlanishi:	650 V
Id - Uzluksiz drenaj oqimi:	22 A
Rds On - Drenaj manbasiga qarshilik:	160 mOm
Vgs - Gate-Source kuchlanishi:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source pol kuchlanishi:	2,7 V
Qg - eshik zaryadi:	38 nC
Minimal ish harorati:	- 55 C
Maksimal ish harorati:	+ 150 S
Pd - quvvat sarfi:	360 Vt
Kanal rejimi:	Yaxshilash
Savdo nomi:	HiPerFET
Qadoqlash:	Quvur
Brend:	IXYS
Konfiguratsiya:	Yagona
Kuz vaqti:	10 ns
Oldinga o'tkazuvchanlik - min:	8 S
Mahsulot turi:	MOSFET
Ko'tarilish vaqti:	35 ns
Seriya:	650V Ultra Junction X2
Zavod paketi miqdori:	50
Pastki toifa:	MOSFETlar
O'chirishning odatiy kechikish vaqti:	33 ns
Odatdagi kechikish vaqti:	38 ns
Birlik og'irligi:	0,139332 oz