IKW50N65ES5XKSA1 IGBT tranzistorlar INDUSTRY 14
♠ Mahsulot tavsifi
| Mahsulot atributi | Atribut qiymati |
| Ishlab chiqaruvchi: | Infineon |
| Mahsulot toifasi: | IGBT tranzistorlari |
| Texnologiya: | Si |
| Paket / quti: | TO-247-3 |
| O'rnatish uslubi: | Teshik orqali |
| Konfiguratsiya: | Yagona |
| Kollektor - Emitent kuchlanish VCEO Maks: | 650 V |
| Kollektor-emitterning to'yinganlik kuchlanishi: | 1,35 V |
| Emitentning maksimal kuchlanishi: | 20 V |
| 25 C da uzluksiz kollektor oqimi: | 80 A |
| Pd - quvvat sarfi: | 274 Vt |
| Minimal ish harorati: | - 40 C |
| Maksimal ish harorati: | + 175 S |
| Seriya: | TRENCHSTOP 5 S5 |
| Qadoqlash: | Quvur |
| Brend: | Infineon Technologies |
| Gate-emitter qochqin oqimi: | 100 nA |
| Balandligi: | 20,7 mm |
| Uzunlik: | 15,87 mm |
| Mahsulot turi: | IGBT tranzistorlari |
| Zavod paketi miqdori: | 240 |
| Pastki toifa: | IGBTlar |
| Savdo nomi: | TRENCHSTOP |
| Kengligi: | 5,31 mm |
| # qism taxalluslar: | IKW50N65ES5 SP001319682 |
| Birlik og'irligi: | 0,213537 oz |
Yuqori tezlikli S5 texnologiyasi taklifi
•Qattiq va yumshoq almashtirish uchun yuqori tezlikda silliq almashtirish qurilmasi
•VeryLowVCEsat, 1,35Vatnominal oqim
•Oldingi avlod IGBT-larining o'rnini bosish va o'ynash
•650V uzilish kuchlanishi
•LowgatechargeQG
•IGBTto‘liq baholanganRAPID1fastantiparalleldiod bilan to‘plangan
•Maksimal ulanish harorati175°C
•JEDECfortarget ilovalariga muvofiq malakali
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
•CompleteproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/
•Rezonansli konvertorlar
•Uzluksiz quvvat manbalari
• Payvandlash konvertorlari
•O'rtadan yuqori diapazonga o'tish chastotasi konvertorlari
