FGH40T120SMD-F155 IGBT tranzistorlari 1200V 40A maydonni to'xtatuvchi xandaq IGBT
♠ Mahsulot tavsifi
| Mahsulot atributi | Atribut qiymati |
| Ishlab chiqaruvchi: | onsemi |
| Mahsulot toifasi: | IGBT tranzistorlari |
| Texnologiya: | Si |
| Paket / quti: | TO-247G03-3 |
| O'rnatish uslubi: | Teshik orqali |
| Konfiguratsiya: | Yagona |
| Kollektor - Emitent kuchlanish VCEO Maks: | 1200 V |
| Kollektor-emitterning to'yinganlik kuchlanishi: | 2 V |
| Emitentning maksimal kuchlanishi: | 25 V |
| 25 C da uzluksiz kollektor oqimi: | 80 A |
| Pd - quvvat sarfi: | 555 Vt |
| Minimal ish harorati: | - 55 C |
| Maksimal ish harorati: | + 175 S |
| Seriya: | FGH40T120SMD |
| Qadoqlash: | Quvur |
| Brend: | onsemi / Fairchild |
| Uzluksiz kollektor oqimi Ic Maks: | 40 A |
| Gate-emitter qochqin oqimi: | 400 nA |
| Mahsulot turi: | IGBT tranzistorlari |
| Zavod paketi miqdori: | 30 |
| Pastki toifa: | IGBTlar |
| # qism taxalluslar: | FGH40T120SMD_F155 |
| Birlik og'irligi: | 0,225401 oz |
♠ IGBT - Field Stop, Xandaq 1200 V, 40 A FGH40T120SMD, FGH40T120SMD-F155
Innovatsion maydonni to'xtatuvchi xandaq IGBT texnologiyasidan foydalangan holda, ON Semiconductor-ning yangi seriyali dala to'xtatuvchi xandaq IGBTlari quyosh inverteri, UPS, payvandchi va PFC ilovalari kabi qattiq almashtirish dasturlari uchun optimal ishlashni taklif qiladi.
• FS Trench texnologiyasi, musbat harorat koeffitsienti
• Yuqori tezlikda almashtirish
• Past toʻyingan kuchlanish: VCE(sat) = 1,8 V @ IC = 40 A
• 100% qismlar ILM(1) uchun sinovdan o‘tgan
• Yuqori kirish empedansi
• Bu qurilmalar Pb-Free va RoHS bilan mos keladi
• Quyosh inverteri, payvandchi, UPS va PFC ilovalari
