VNS3NV04DPTR-E darvoza drayverlari OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Mahsulot tavsifi
| Mahsulot atributi | Atribut qiymati |
| Ishlab chiqaruvchi: | STMikroelektronika |
| Mahsulot toifasi: | Darvoza haydovchilar |
| RoHS: | Tafsilotlar |
| Mahsulot: | MOSFET darvoza drayverlari |
| Turi: | Past tomon |
| O'rnatish uslubi: | SMD/SMT |
| Paket / quti: | SOIC-8 |
| Haydovchilar soni: | 2 Haydovchi |
| Chiqishlar soni: | 2 Chiqish |
| Chiqish oqimi: | 5 A |
| Ta'minot kuchlanishi - Maks: | 24 V |
| Ko'tarilish vaqti: | 250 ns |
| Kuz vaqti: | 250 ns |
| Minimal ish harorati: | - 40 C |
| Maksimal ish harorati: | + 150 S |
| Seriya: | VNS3NV04DP-E |
| Malaka: | AEC-Q100 |
| Qadoqlash: | G'altak |
| Qadoqlash: | Kesilgan lenta |
| Qadoqlash: | MouseReel |
| Brend: | STMikroelektronika |
| Namlikka sezgir: | Ha |
| Operatsion ta'minot oqimi: | 100 uA |
| Mahsulot turi: | Darvoza haydovchilar |
| Zavod paketi miqdori: | 2500 |
| Pastki toifa: | PMIC - Quvvatni boshqarish IC |
| Texnologiya: | Si |
| Birlik og'irligi: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II to'liq avtomatik himoyalangan Power MOSFET
VNS3NV04DP-E qurilmasi standart SO-8 paketiga joylashtirilgan ikkita monolit chipdan (OMNIFET II) tashkil topgan. OMNIFET II STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 texnologiyasidan foydalangan holda ishlab chiqilgan va 50 kHz gacha bo'lgan shahar ilovalarida standart Power MOSFETlarni almashtirish uchun mo'ljallangan.
O'rnatilgan termal o'chirish, chiziqli oqim cheklovi va haddan tashqari kuchlanish qisqichi chipni og'ir muhitda himoya qiladi.
Kirish pinidagi kuchlanishni kuzatish orqali noto'g'ri fikr-mulohazalarni aniqlash mumkin
■ ECOPACK®: qo'rg'oshinsiz va RoHSga mos
■ Avtomobil darajasi: AEC ko'rsatmalariga muvofiqligi
■ Chiziqli oqim chegarasi
■ Termal o'chirish
■ Qisqa tutashuvdan himoya qilish
■ O'rnatilgan qisqich
■ Kirish pinidan olingan past oqim
■ Kirish pin orqali diagnostika aloqasi
■ ESD himoyasi
■ Power MOSFET eshigiga to'g'ridan-to'g'ri kirish (analog haydash)
■ Standart Power MOSFET bilan mos keladi
