SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
♠ Mahsulot tavsifi
| Mahsulot atributi | Atribut qiymati |
| Ishlab chiqaruvchi: | Vishay |
| Mahsulot toifasi: | MOSFET |
| RoHS: | Tafsilotlar |
| Texnologiya: | Si |
| O'rnatish uslubi: | SMD/SMT |
| Paket / quti: | TSOP-6 |
| Transistor polaritesi: | P-kanal |
| Kanallar soni: | 1 Kanal |
| Vds - Drenaj manbasining buzilishi kuchlanishi: | 30 V |
| Id - Uzluksiz drenaj oqimi: | 8 A |
| Rds On - Drenaj manbasiga qarshilik: | 36 mOm |
| Vgs - Gate-Source kuchlanishi: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source pol kuchlanishi: | 3 V |
| Qg - eshik zaryadi: | 50 nC |
| Minimal ish harorati: | - 55 C |
| Maksimal ish harorati: | + 150 S |
| Pd - quvvat sarfi: | 4,2 Vt |
| Kanal rejimi: | Yaxshilash |
| Savdo nomi: | TrenchFET |
| Seriya: | SI3 |
| Qadoqlash: | G'altak |
| Qadoqlash: | Kesilgan lenta |
| Qadoqlash: | MouseReel |
| Brend: | Vishay yarimo'tkazgichlari |
| Konfiguratsiya: | Yagona |
| Balandligi: | 1,1 mm |
| Uzunlik: | 3,05 mm |
| Mahsulot turi: | MOSFET |
| Zavod paketi miqdori: | 3000 |
| Pastki toifa: | MOSFETlar |
| Kengligi: | 1,65 mm |
| Birlik og'irligi: | 0,000705 oz |
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% Rg va UIS sinovidan o'tgan
• Materiallar toifalari:
Muvofiqlik ta'riflari uchun ma'lumotlar jadvaliga qarang.
• Yuklash kalitlari
• Adapter kaliti
• DC/DC konvertori
• Mobil Computing/Consumera uchun
